[Baja 001]

Autor borgy

Smanjenje tranzistora je dobro zbog manjih troskova proizvodnje (jednom kad se instalira oprema koja poprilicno kosta), vece razine integracije, manje snage potrebne za preklapanje, ali javlja se problem curenja elektrona kroz djelove koji bi trebali sluziti kao izolatori jer im se debljina pocinje brojati u atomima. Intel je zbog toga silicijev dioksid koji se standardno koristi kao izolator zamijenio sa hafniumom kada je presao na 45nm proces. Hafnium se puno vise opire prolasku elektricnog polja (slabije se polarizira), zbog cega je moguce nanijeti deblji sloj tog izolatora bez poremecaja rada tranzistora. Deblji sloj - manje curenje elektrona - manje grijanje i veca pouzdanost sklopa. To se nije moglo sa silicijevim dioksidom jer podebljanjem izolatora smanjujes kapacitivnost gate-a (to je upravljacki dio tranzistora kojim odlucujes kada ce struja teci a kada ne), sto se kod hafniuma kompenzira visokom dielektricnom konstantom. Kapacitivnost gate-a nam je bitna jer povecava struju koja moze teci kroz tranzistor, odnosno manjim naponom upravljamo s vecim tokom struje. Dovodjenje velikih napona u tranzistor moze rezultirati probojem materijala, jer imas razliku potencijala od par volti na ~100 nanometara. Sve se zapravo svodi na balansiranje par formula uvrstavanjem svojstava raznih metala i trazenja ekonomicne kombinacije, jer je kompleksnost izrade tranzistora sa drugim izolatorom kao sto je hafnium puno veca. Silicijev dioksid dobijes tako da silicij ostavis na zraku, a hafnium treba posebno dodavati ALD procesom o kojem neznam nista (http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_layer_deposition).

Neko dobro zna Elektroničke Sklopove